北京科华微电子材料有限公司参加SPIE报道

         2019年2月24号到28号，一年一度的SPIE Advanced Lithography在San Jose如期举行，北京科华微电子材料有限公司的技术人员也参加了这一业内的技术盛会。

   IBM公司的Dario Gil博士以《The future is Quantum》的主题报告为大会做了开场白，以量子比特为基础的量子计算机，相比传统的计算机系统，具有更强的计算能力，可以用于需要大量计算力的应用场景，在化学、材料、机器学习等领域有巨大的潜力。Dario博士介绍了IBM Q System One的设计及性能，同时提出IBM将开放IBM Q Network，为会员提供基于量子计算机的云计算服务。来自ASML的Steven Steen 和来自LAM的Bart van Schravendijk 合作介绍了材料、工艺及设备如何共同合作来解决先进3D NAND制程中遇到的挑战，这也展示了接近物理极限的集成电路制造在面临越来越严峻的挑战时，只有材料、工艺与设备共同开发才能继续推进摩尔定律。

   材料方面的进展包括，IM公司提出的Multi Trigger Resist(MTR)，是一种不含金属离子，且只有高吸光 性的负性光刻胶体系，感光速度约49mJ，实现了16.8nm的CD，LWR为2.62nm。PiBond介绍了基于Si的EUV光刻胶及Underlayer体系，这一体系实现了18.3nm的CD，LWR达2.8nm。Grant Wilson课题级介绍了最新的Pitch Division光刻胶的进展，通过Pitch Division技术可以在365nm波长下实现更小的分辨率，从化学上通过设计PAG及PBG并优化其比例可以将I线光刻的分辨率提高一倍。

   工艺上，Stanford大学的Stacey介绍了自对准单分子层原子沉积（SAM-ALD）技术的发展及如何通过材料的优化来改进ALD过程中的缺陷；而IBM公司的Rudy则报道了通过工艺的改进及优化来减小ALD过程的缺陷的进展；DuPont公司的Peter介绍了Spin on doping工艺的应用，通过Spin on工艺来优化ALD的工艺窗口，减少缺陷及提高对不同金属的沉积适应性。

   机理研究上，Stochastics仍然是研究的热点，Chris Mack在其报告中指出Stochastics将是制约集成电路制造向更小线宽发展的关键点，近50年的时间里LER/LWR没有明显的提高，但是随着最小线宽的为断减小，LER及LWR在线宽中占的比重越来越大，其影响也越来越大。在此基础上，越来越多的研究人员将重点放在Stochastics对工艺的影响上，IBM及IMEC的研究人员分析了由Stochastics引起的缺陷及改进方案。

   总体而言， 随着集成电路制造工艺进入7nm及5nm，EUV逐步被业界所接受。同时，掩膜板的制造及测试、光刻胶的设计与开发、EUV光刻机性能上都有了长足的进步，TSMC、Intel都宣布了EUV应用的计划，预计2019年第二季度，EUV将正式进入量产阶段。

   关于Moore定律是否即将结束还没有定论，可以确定的是在推动Moore定律的过程中，材料、设备及工艺的创新将持续进行，通过技术创新将Moore定律的精神传承下去。

   今年还有一个特殊的事件，即光刻胶界的泰斗Grant Wilson宣布退休，会议也将整个周四下午的时段作为Special Session以纪念Grant Wilson为业界做出的贡献，Grant Wilson的工作激励了一代又一代的光刻胶人，在此作为参加过Grant Wilson课程的笔者，也感谢他对Advanced Lithography的贡献，祝他如享受光刻胶材料的开发般享受他丰富多彩的退休生活。